سامسونگ اولین حافظه ۹۰۰ لایه NAND را با موفقیت توسعه داد
سامسونگ که بزرگترین تولیدکنندهی تراشههای حافظه در جهان محسوب میشود، ظاهراً موفق شده نخستین نمونهی آزمایشی حافظهی V-NAND با ۹۰۰ لایه را توسعه دهد؛ دستاوردی که میتواند جایگاه این شرکت را برای حافظهی موردنیاز هوش مصنوعی تقویت کند.
به گزارش ETNews، سامسونگ نمونهی اولیه نخستین تراشهی فلش V-NAND کلاس ۹۰۰ لایه را با موفقیت ساخت.
نمونهی آزمایشی از فناوریای به نام Cell Multi-Bonding یا CMB استفاده میکند؛ روشی که دو ویفر ۴۵۰ لایهای را به یک تراشهی واحد تبدیل میکند. افزایش تعداد لایهها در حافظهی NAND باعث افزایش تراکم ذخیرهسازی و کاهش مصرف انرژی میشود؛ ویژگیهایی که برای پردازشهای سنگین هوش مصنوعی اهمیت زیادی دارند.
درحالحاضر شرکت اسکی هاینیکس یکی از رهبران بازار NAND چندلایه محسوب میشود و حافظههای ۳۲۱ لایهای تولید میکند؛ اما سامسونگ همزمان درحال آمادهسازی تولید انبوه نسل دهم حافظههای ۴۰۰ لایهای است و حالا در مرحلهی تحقیقاتی هم به مرز ۹۰۰ لایه رسیده است.
سامسونگ نخستین شرکتی بود که در سال ۲۰۱۳ حافظههای سهبعدی V-NAND را تجاریسازی کرد. این شرکت در ابتدا از فرایندی استفاده میکرد که طی آن حفرههای میکروسکوپی در ساختار تراشه بهصورت یکمرحلهای ایجاد و روی هم انباشته میشدند.
با افزایش تعداد لایهها، مشکلاتی مثل خمشدن ویفرها و ناهماهنگی لایهها به چالشی جدی تبدیل شد. گزارشها میگویند سامسونگ این مشکلات را با طراحی جدید برطرف کرده است.
در همین حال، شرکت چینی Yangtze Memory Technologies Co یا YMTC نیز با سرعت درحال نزدیکشدن به سامسونگ و اسکی هاینیکس در بازار حافظهی NAND است.